Transistor 15N60C3

Designador de tipo: 15N60

Tipo de Transistor: MOSFET

Tipo de Canal de Controle: N-Channel

Dissipação Máxima de Potência (Pd): 312 W

Tensão Máxima da Fonte de Dreno |Vds|: 600 V

Tensão máxima da fonte de porta |Vgs|: 30 V

Corrente Máxima de Drenagem |Id|: 15 A

Temperatura Máxima da Junção (Tj): 150 °C

Tempo de subida (tr): 200 nS

Capacitância da Fonte de Dreno (Cd): 270 pF